テクノロジー
今日の電子機器は、豊富な高性能データトランシーバー集積回路とインターフェイス(USB、HDMI、LVDS、イーサネット等)によって実現されています。消費者がより小さなフォームファクターでより高性能な電子機器を求めるようになり、これらの製品を実現するチップも同様に、より小さなプロセスジオメトリーに対応するようになります。このようにIC開発が進むにつれ、フォームファクターやプロセスノードの小型化も進んでいますが、静電気放電(ESD)の脅威による損傷やラッチアップに対するこれらのデバイスの脆弱性は増しています。
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よくある質問
より高い電荷を持つ元素がより低い電荷を持つ別の元素と接触すると、電子は一方の元素からもう一方の元素へと流れます。この電荷の移動は、短時間に高電流の急速な流れを引き起こし、静電気放電(ESD)イベントを発生させる可能性があります。これは、静電気の突然の放出であり、敏感な電子部品を損傷する可能性があります。
電気的高速過渡現象(EFT)は、産業環境においてリレー、接触器、または回路遮断器などのスイッチングデバイスのオンまたはオフ時に発生する一連の高速で高周波のパルスによって特徴付けられる電気的過渡現象の一種です。
サージとは、電気的スイッチングや雷によって引き起こされることもある、短時間で高エネルギーの電圧および電流の急上昇のことを指します。スイッチング過渡現象は、電力系統のスイッチング、配電システムにおける負荷変動、または短絡故障状態によって発生する場合があります。
ESD(静電放電)ダイオードは、短時間で発生する高速のESDイベントに対応するよう設計されています。一方、TVS(サージ吸収)ダイオードは、雷やスイッチングサージなど、比較的長時間持続する過電圧過渡現象から回路を保護するよう最適化されています。
TVSダイオードまたはESD保護ダイオードは、PCB上の統合回路をESDや電気的オーバーストレス(EOS)イベントから保護します。TVSダイオードまたはESD保護ダイオードは、通常の動作条件下では開回路のように機能しますが、電圧がブレークダウンしきい値を超えると、即座に導電状態になり、サージ電流を保護回路から逸らします。電圧スパイクが過ぎると、自動的に高抵抗状態に戻り、危険な電圧を安全なレベルに効果的に抑制します。





